сейчас выбран русский язык страница на английском языке отсутствует
119334, г. Москва, Ленинский проспект, 32а. Тлф, факс: (495) 938 1761, email: nanoitdep@presidium.ras.ru, сайт: http://www.onit-ras.ru
Об Отделении Структура Отделения Научные события Планы и отчеты Контакты Новости
Главная > Научные события > Научные сессии

НАУЧНАЯ СЕССИЯ

Отделения нанотехнологий и информационных технологий
Российской академии наук (ОНИТ РАН)

Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем

Научный руководитель - академик РАН Красников Геннадий Яковлевич

Календарь
заседаний

Заседание №7 от 26 ноября 2018 года

Начало заседания: 11:00

Место проведения: г. Москва, Ленинский пр-т, 32а, корп. Г, эт. 3, Зеленый зал

Институт-организатор: АО «НИИМЭ»

ПРОГРАММА СЕССИИ

1.Академик РАН Г.Я. Красников. Открытие научной сессии. АО «НИИМЭ».
2.Д.ф.-м.н. В.П. Попов, д.ф.-м.н. К.В. Руденко. КНИ-структуры с ультратонкими слоями оксидов гафния и алюминия. ИФП СО РАН, ФТИАН РАН.
3.Академик РАН Ю.В. Гуляев, член-корр. РАН С.А. Никитов, К.ф.-м.н. Д.В. Калябин, к.ф.-м.н. А.В. Садовников, к.т.н. А.Р. Сафин. Гетероструктуры на основе тяжелых металлов/ферро- или антиферромагнетик для элементной базы вне КМОП. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, МФТИ, ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ».
4.Д.т.н. К.А. Воротилов. Химическое осаждение из растворов: материалы и применения. МИРЭА.
5.Д.х.н. П.Г. Сенников, д.х.н. А.Д. Буланов. Моноизотопный кремний-28 — перспективный материал для практической реализации квантового компьютера. ИХВВ РАН.
6.К.ф.-м.н. А.В. Зенкевич, к.ф.-м.н. А.М. Маркеев. Разработка физических основ КМОП-совместимой технологии резистивной и сегнетоэлектрической памяти на новых материалах. МФТИ.
7.Д.ф.-м.н. Д.В. Рощупкин, к.ф.-м.н. О.В. Кононенко. Получение графена методом химического осаждения из газовой фазы и его потенциальное применение в приборах микро и наноэлектроники. ИПТМ РАН.
8.К.ф.-м.н. С.В. Ковешников. Современное состояние и перспективы развития твердотельной электроники на основе алмаза и алмазоподобных материалов. ИПТМ РАН.
9.Д.т.н. С.А. Гамкрелидзе. Приборные применения соединений А3В5. ИСВЧПЭ РАН.
10.Член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, д.ф.-м.н. К.В. Руденко, к.ф.-м.н. А.В. Мяконьких. Продвинутые технологии глубокого анизотропного травления структур в кремнии для микроэлектронных применений. ФТИАН РАН.
11.Академик РАН Г.Я. Красников, д.т.н. Е.С. Горнев, А.А. Резванов. Перспективные материалы для микроэлектроники и их применение. АО «НИИМЭ».
12.К.х.н. А.П. Котков, к.х.н. Ю.Ф. Радьков. Высокочистые прекурсоры для производства эпитаксиальных структур A3B5 (гидридные газы и металлорганические соединения). АО «НПП «Салют».
13.К.т.н. С.Ю. Шаповал. Разработка технологии изготовления мощных, высокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия. ИПТМ РАН.
14.К.т.н. О.А. Бузанов, к.ф.-м.н. А.Н. Забелин, С.А. Сахаров. Пьезоэлектрические и сцинтилляционные монокристаллы российского производства. ОАО «Фомос-Материалс».
15.Подведение итогов работы научной сессии.

Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук. Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»

Фотоотчет заседания





Copyright © 2017-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Обратная связь