сейчас выбран русский язык страница на английском языке отсутствует
119991, г. Москва, Ленинский проспект, 32а. Тлф, факс: (495) 938 1761, email: nanoitdep@presidium.ras.ru, сайт: http://www.onit-ras.ru
Об Отделении Структура Отделения Научные события Планы и отчеты Контакты Новости
Главная > Научные события > Научные сессии
Положение об Академическом кадровом резерве ОНИТ РАН размещено в разделе "Правовые документы" (закладка "Об Отделении")

НАУЧНАЯ СЕССИЯ

Отделения нанотехнологий и информационных технологий
Российской академии наук (ОНИТ РАН)

Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем

Научный руководитель - академик РАН Красников Геннадий Яковлевич

Календарь
заседаний

Заседание №2 28 февраля 2018 года

Начало заседания: 11:00

Место проведения: конференц-зал ВЦ РАН им. А.А. Дородницына по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, 40, корп. 2, 3-й этаж.

ПРОГРАММА СЕССИИ

Вступительное слово академика-секретаря ОНИТ РАН академика РАН А.Л. Стемпковского
1.Академик РАН Г.Я. Красников. Направления развития транзисторных структур в современной микроэлектронике. АО "НИИМЭ".
2.Член-корр. РАН А.В. Двуреченский, к. ф.-м. н. А.Ф. Зиновьева, к. ф.-м. н. А.В. Ненашев. Спиновые явления в кремниевых структурах с квантовыми точками. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова.
3.Член-корр. РАН С.А. Никитов, д. ф.-м. н. А.С. Дмитриев, д. ф.-м. н. С.В. Зайцев-Зотов, д. ф.-м. н. А.А. Зинченко, д. ф.-м. н. В.П. Кошелец, д. ф.-м. н. М.В. Логунов. Элементная база для перспективных информационно-вычислительных систем на базе новых материалов и физических принципов. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.
4.Академик РАН Г.Я. Красников, член-корр. РАН А.А. Горбацевич, Н.М. Шубин. Элементная база молекулярной электроники на квантовых эффектах.. АО «НИИМЭ», ФИАН им.П.Н. Лебедева, МИЭТ.
5.Д. ф.-м. н. В.П. Попов, д. ф.-м. н. В.А. Гриценко, к. ф.-м. н. И.Е. Тысченко. Элементная база многофункциональной электроники на основе ПДП, МДП и МДМ структур (FeFET, eRAM, RRAM, FRAM). ИФП СО РАН.
6.Член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, д.ф-м.н. К.В. Руденко. Исследования в области технологии транзисторных структур с затвором HkMG и критическими размерами до 10 нм.. ФТИАН РАН.
7.Д. т. н. Е.С. Горнев, к. ф.-м. н. А.В. Зенкевич. Альтернативные концепции резистивной и сегнетоэлектрической памяти: статус и перспективы. АО «НИИМЭ», МФТИ.
8.Д. т. н. Я.Я. Петричкович. Когнитивные процессоры, новый вызов. АО «НПЦ ЭЛВИС».
9.Академик РАН Ю.А. Чаплыгин, д. т. н. М.А. Королев, к. т. н. А.С. Ключников, Д.И. Ефимова. Планарный КНИ беспереходный МОП-транзистор. МИЭТ.
10.Д. ф.-м. н. Д.В. Рощупкин. Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы: современное состояние и перспективы. ИПТМ РАН.
11.Д. ф.-м. н. А.Д. Буравлев. Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на кремнии.. С-Пб АУ РАН.
12.Академик РАН А.Л. Асеев, академик РАН А.В. Латышев, член-корр. РАН И.Г. Неизвестный, член-корр. РАН И.И. Рябцев, к. ф.-м. н. И.И. Бетеров, к. ф.-м. н. Д.Б. Третьяков, к. ф.-м. н. В.М. Энтин, Е.А. Якшина. Элементная база квантовой информатики с одиночными атомами и фотонами. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова.
13.К. ф.-м. н. С.В. Михайлович, к. т. н. А.Ю. Павлов. «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности». ИСВЧПЭ РАН.

Внимание: для просмотра резолютивной части заседания вам необходимо авторизоваться на этом сайте.

Copyright © 2017-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Обратная связь