| 1. | Академик РАН Г.Я. Красников. Открытие научной сессии. АО «НИИМЭ». |
| 2. | Д.ф.-м.н. В.П. Попов, д.ф.-м.н. К.В. Руденко. КНИ-структуры с ультратонкими слоями оксидов гафния и алюминия. ИФП СО РАН, ФТИАН РАН. |
| 3. | Академик РАН Ю.В. Гуляев, академик РАН С.А. Никитов, К.ф.-м.н. Д.В. Калябин, к.ф.-м.н. А.В. Садовников, к.т.н. А.Р. Сафин. Гетероструктуры на основе тяжелых металлов/ферро- или антиферромагнетик для элементной базы вне КМОП. ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, МФТИ, ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ». |
| 4. | Д.т.н. К.А. Воротилов. Химическое осаждение из растворов: материалы и применения. МИРЭА. |
| 5. | Д.х.н. П.Г. Сенников, д.х.н. А.Д. Буланов. Моноизотопный кремний-28 — перспективный материал для практической реализации квантового компьютера. ИХВВ РАН. |
| 6. | К.ф.-м.н. А.В. Зенкевич, к.ф.-м.н. А.М. Маркеев. Разработка физических основ КМОП-совместимой технологии резистивной и сегнетоэлектрической памяти на новых материалах. МФТИ. |
| 7. | Д.ф.-м.н. Д.В. Рощупкин, к.ф.-м.н. О.В. Кононенко. Получение графена методом химического осаждения из газовой фазы и его потенциальное применение в приборах микро и наноэлектроники. ИПТМ РАН. |
| 8. | К.ф.-м.н. С.В. Ковешников. Современное состояние и перспективы развития твердотельной электроники на основе алмаза и алмазоподобных материалов. ИПТМ РАН. |
| 9. | Д.т.н. С.А. Гамкрелидзе. Приборные применения соединений А3В5. ИСВЧПЭ РАН. |
| 10. | Член-корр. РАН В.Ф. Лукичев, д.ф.-м.н. К.В. Руденко, к.ф.-м.н. А.В. Мяконьких. Продвинутые технологии глубокого анизотропного травления структур в кремнии для микроэлектронных применений. ФТИАН РАН. |
| 11. | Академик РАН Г.Я. Красников, д.т.н. Е.С. Горнев, А.А. Резванов. Перспективные материалы для микроэлектроники и их применение. АО «НИИМЭ». |
| 12. | К.х.н. А.П. Котков, к.х.н. Ю.Ф. Радьков. Высокочистые прекурсоры для производства эпитаксиальных структур A3B5 (гидридные газы и металлорганические соединения). АО «НПП «Салют». |
| 13. | К.т.н. С.Ю. Шаповал. Разработка технологии изготовления мощных, высокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия. ИПТМ РАН. |
| 14. | К.т.н. О.А. Бузанов, к.ф.-м.н. А.Н. Забелин, С.А. Сахаров. Пьезоэлектрические и сцинтилляционные монокристаллы российского производства. ОАО «Фомос-Материалс». |
| 15. | Подведение итогов работы научной сессии. |
Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук.
Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».
Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» |
